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不得不关注的2013年电子业最具潜力十大新秀厂商
2021-04-03 21:11:23

  尽管 2012年整体电子产业表现不佳,但仍有许多表现优秀的新创公司从各个技术领域冒出头来;以下盘点值得在 2013年继续关注其动态的十家具潜力新创公司,它们擅长的领域涵盖处理器、存储器、半导体制程、芯片架构、EDA、微机电(MEMS)、RF、触控屏幕、伺服器以及物联网(IoT)。

  碳奈米管记忆体专家Nantero

  总部位于美国麻州的 Nantero 成立于2001年,专长于碳奈米管(carbon nanotubes)非挥发性记忆体技术;该公司在2006年曾以沟槽式(trench-based)元件架构引发话题,但之后又归于沉寂。直到2012年,该公司将元件架构改为更具可扩展性的通孔(in-via)架构,并宣佈从两家策略伙伴募得1,000万美元额外资金。

  Nantero 最近并与比利时研究机构IMEC宣佈一项20奈米以下节点的碳奈米管非挥发性记忆体合作开发计画,IMEC官员期望该种记忆体可取代DRAM。如果该技术开发进度一切顺利,可望在2013年发表更多进展,而该公司的策略伙伴也或许会现身。

 Nantero的碳奈米管可变电组记忆体架构横切面

  Nantero的碳奈米管可变电组记忆体架构横切面,这种架构可望微缩至15奈米甚至是5奈米节点

  新一代电晶体专家SuVolta

  总部位于美国加州的SuVolta在2005年成立时名为DSM Soluons,一开始塬本计画进军创新型态的接面场效电晶体(juncon FET)市场,后来经歷了一次重新评估,并在2011年Scott Thompson任职该公司技术长后,以掺杂(doping)技术推出全耗尽平面电晶体(fully-depleted planar transistor)架构,取代过去其他业者使用绝缘上覆硅晶圆的方式(即FD-SOI)。

  确实,SuVolta的PowerShrink电晶体所具备的深度耗尽通道可望提供FinFET与FD-SOI之外的n通道FET方案,但看来目前并没有任何一家领先级IDM厂商或晶圆代工业者想尝试。不过Globalfoundries执行长Ajit Manocha已经表示,该公司正在评估FinFET与FD-SOI之外的第叁种製程──super-steep retrograde well (SSRW),基本上就是SuVolta所开发的技术。

SuVolta 的PowerShrink电晶体架构

  SuVolta 的PowerShrink电晶体架构

  目前尚不清楚Globalfoundries是否与SuVolta合作,或是两者是各自独立开发;无论是哪种情况,SuVolta的未来发展都值得继续关注。SuVolta的PowerShrink电晶体製程可提供与FD-SOI类似的优势,但不需要使用SOI晶圆;该种电晶体亦能达到部分FinFET的优势。


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